半導体力学量センサおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295336
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】半導体加速度センサなどの力学量センサにおいて、寄生容量によってセンサ感度が低下するのを防止する。【解決手段】シリコン基板30の上に、貼り合わせ用薄膜32、絶縁膜33、34および導電性薄膜35が形成されてなる基板1と、この基板1の上面にアンカー部によって支持された梁構造体(図には梁構造体の梁4を示す)と、基板1の上面に第2のアンカー部によって固定された固定電極とを有する半導体加速度センサにおいて、第3のアンカー部51により基板1の上面に電位取出部50を固定して設け、この電位取出部50と貼り合わせ用薄膜32とを第3のアンカー部51を介して電気的に接続し、貼り合わせ用薄膜32の電位を固定するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板(30)の上に第1の導電性薄膜(32)、絶縁膜(33、34)および第2の導電性薄膜(35)が形成されてなる基板(1)と、前記第2の導電性薄膜によって構成された第1のアンカー部(3a〜3d)により前記基板の上面に支持され、可動電極(7a〜7d、8a〜8d)を有する梁構造体(2A)と、前記第2の導電性薄膜によって構成された第2のアンカー部(10a〜10d、12a〜12d、14a〜14d、16a〜16d)により前記基板の上面に固定され、前記可動電極に対向して配置された固定電極(9a〜9d、11a〜11d、13a〜13d、15a〜15d)と、前記第1の導電性薄膜(32)の電位を固定する手段(50、51)と、を備えたことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/125 , G01L 1/14 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/125 , G01L 1/14 K , H01L 29/84 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

センサおよびセンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-240583 出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
慣性力センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-160171 出願人：三菱電機株式会社
加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-263013 出願人：株式会社村田製作所

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