特許
J-GLOBAL ID：200903038023267228

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、基体、ウェハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置

発明者：
水野 友人

水野 友人 について

, 
土屋 芳弘

土屋 芳弘 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294527
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112841
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】スピントランスファートルクの影響を抑え、十分な出力が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層43と、非磁性のスペーサ層44と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層45とが順番に積層されたMR素子4において、フリー層45は、4f電子を有する元素が2〜25at.%の割合で混合された磁性体を含む多層構造である。具体的には、スペーサ層44と接する第1層45aと第3,5,7層45c,45e,45gは、Coの割合が70at.%以下のCoFe中にNd、Sm、Gd、またはTbが混合された層であり、第2,6層45b,45fは、Niの割合が70at.%以上100at.%未満のNiFe中にNd、Sm、Gd、またはTbが混合された層である。第3層はCuである。このフリー層45のダンピング定数は0.018よりも大きい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定されたピンド層と、非磁性のスペーサ層と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層とが、前記スペーサ層が前記ピンド層と前記フリー層との間に位置するように積層された磁気抵抗効果素子において、 前記フリー層は、4f電子を有する元素が混合された磁性体を含む多層構造であり、前記スペーサ層と接する部分はCoFeを含む層からなる ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  G11B 5/39
FI (4件)：
H01L43/08 M ,  H01F10/16 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 Z
Fターム (34件)：
5D034BA03 ,  5D034BB12 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB66 ,  5F092BB81 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE13 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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