特許
J-GLOBAL ID:200903020275145250

磁気抵抗効果素子、磁気センサー、再生ヘッド、複合ヘッド、磁気情報再生装置、磁気情報記録再生装置、および、磁気情報の再生方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 梶 良之 ,  須原 誠 ,  奈良 泰宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-087694
公開番号(公開出願番号):特開2006-269866
出願日: 2005年03月25日
公開日(公表日): 2006年10月05日
要約:
【課題】 磁気抵抗効果素子の幅よりも狭いトラック幅に記録された磁気記録情報を検出する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子10は、基板1、下部電極層2、磁化固定層3、非磁性体層4、面内磁化層7、フェリ磁性体層5、上部電極層6の順に積層された素子である。フェリ磁性体層5は、室温で保磁力が大きく、高温で保磁力が減少する。磁気記録情報再生時には、フェリ磁性体層5の中心部が加熱される。加熱されることによって高い磁気抵抗効果比が得られる中心部の幅は、磁気抵抗効果素子の幅よりも十分に狭い。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
非磁性体層と、前記非磁性体層を挟む2つの磁性体層とを有し、前記2つの磁性体層の磁化方向の相対角度変化によって磁気抵抗変化を得る磁気抵抗効果素子であって、 前記2つの磁性体層の少なくとも何れか一方が、互いに反平行な磁化方向を持つ2種以上の磁性体から形成されたフェリ磁性体層を含んでおり、かつ、温度変化に伴って前記フェリ磁性体層の保磁力が変化することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39
FI (3件):
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 M
Fターム (5件):
5D034BA03 ,  5D034BA11 ,  5D034BA30 ,  5D034BB12 ,  5D034CA03
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 磁気抵抗効果ヘッド
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-167259   出願人:株式会社日立製作所
審査官引用 (9件)
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