特許
J-GLOBAL ID：200903038065345113

レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (13件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  米田 圭啓 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146057
公開番号（公開出願番号）：特開2006-323111
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】レジストパターンの被処理膜との密着性を向上して、パターンの形状不良を防止できるようにする。 【解決手段】基板101の上に、ヘテロ環式ケトンである4-ペンタンラクタムを含むレジストからなるレジスト102膜を形成し、続いて、レジスト膜102に対して露光光103をマスク104を通して照射することによりパターン露光を行なう。続いて、パターン露光されたレジスト膜102を現像することによりレジストパターン102aを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ヘテロ環式ケトン又はその異性体を含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/085 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/085 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (14件)：
2H025AA00 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC06 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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