スルホンアミド化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-249503
公開番号（公開出願番号）：特開2005-097595
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】波長が300nm帯以下の露光光に対する透過性に優れると共に、基板密着性及び現像溶解性に優れるレジスト材料を提供する。【解決手段】レジスト材料のベース樹脂は、[化3]の一般式で表わされるユニットよりなる。【化3】但し、R1、R2 及びR3 は、同種又は異種であって、水素原子、フッ素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R4 は、炭素数0以上で且つ20以下の直鎖状のアルキレン基又は分岐状若しくは環状のアルキレン基であり、R5 及びR6 は、同種又は異種であって、水素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又は酸により脱離する保護基である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

[化1]の一般式で表わされることを特徴とするスルホンアミド化合物。

IPC (6件)：

C08F28/02 , C07C43/303 , C07C69/653 , C07C311/03 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (6件)：

C08F28/02 , C07C43/303 , C07C69/653 , C07C311/03 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (32件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4J100AP01P , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA06P , 4J100BA15P , 4J100BA20P , 4J100BA59P , 4J100BB18P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC53P , 4J100BC60P , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (13件)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050264 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (6件)

化粧料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-035080 出願人：花王株式会社
特開昭57-153433
珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-180392 出願人：信越化学工業株式会社

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