特許
J-GLOBAL ID：200903038154565585

量子ドット型光半導体装置及びその製造方法

発明者：
川上 真一郎

川上 真一郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-048366
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227744
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】検出可能な赤外線の帯域が広い量子ドット型光半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】GaAs半導体基板51の上に、バッファ層52、下部電極層53、第1の赤外線吸収層54a、第2の赤外線吸収層54b及び上部電極層55を形成する。第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bはいずれも量子ドットと、量子ドットを覆うキャップ層と、量子ドットにより導入された歪みを回復させる中間層とを複数積層して形成されている。第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bの量子ドットはいずれもInAsにより形成されており、中間層はいずれもAl0.5Ga0.5Asにより形成されている。また、第1の赤外線吸収層54aのキャップ層はAl0.15Ga0.85Asにより形成され、第2の赤外線吸収層54bのキャップ層はAl0.2Ga0.8Asにより形成されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 第1の量子ドットと、該第1の量子ドットを被覆してキャリアを閉じ込める第1のキャップ層と、該第1のキャップ層の上に形成されて前記第1の量子ドットにより導入された歪みを回復させる第1の中間層とにより構成され、前記第1の半導体基板上に配置された第1の量子ドット層と、 第2の量子ドットと、該第2の量子ドットを被覆してキャリアを閉じ込める第2のキャップ層と、該第2のキャップ層の上に形成されて前記第2の量子ドットにより導入された歪みを回復させる第2の中間層とにより構成され、前記第1の量子ドット層の上に配置された第2の量子ドット層とを有し、 前記第1及び第2の量子ドットは同一の材料により形成され、前記第1及び第2のキャップ層は相互に異なる材料により形成され、前記第1及び第2の中間層は同一の材料により形成されていることを特徴とする量子ドット型光半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (10件)：
5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NA11 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 赤外受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-215601   出願人：横河電機株式会社
  • 量子光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-273178   出願人：富士通株式会社
審査官引用 (1件)
  • 赤外線センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051221   出願人：富士通株式会社
引用文献：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM