特許
J-GLOBAL ID：200903023322000869
量子光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273178
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111710
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】歪ヘテロエピタキシャル系におけるS-Kモード成長により形成された量子ドットを有する量子光半導体装置において、偏波依存性を除去する。【解決手段】量子ドット13を囲むバリア層14の組成を変化させることにより、量子ドットに蓄積される歪の面内成分および基板面に垂直に働く成分の値を最適化して、量子ドットに生ずる歪みを制御する。その結果、価電子帯中の軽い正孔の準位と重い正孔の準位との関係が伝導帯に対して変化し、TMモードの光放射に対する量子ドットの相互作用の割合をTEモードの光放射に対する量子ドットの相互作用の割合よりも大きくできる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、量子構造を含む活性層とよりなる量子光半導体装置において、
前記量子構造は:
第1の格子定数および第1のバンドギャップを有する第1の半導体結晶よりなる第1のバリア層と、
前記第1のバリア層上にエピタキシャルに形成され、第2の格子定数および第2のバンドギャップを有する第2の半導体結晶よりなる第2のバリア層と、
前記第2のバリア層中に形成され、前記第1の格子定数とは異なる格子定数および前記第1および第2のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、前記第1の半導体結晶および第2の半導体結晶に対して歪み系を形成する半導体結晶よりなり、各々前記第2のバリア層の厚さに実質的に等しい高さを有する複数の量子ドットと、
前記第2のバリア層上に形成され、前記量子ドットを形成する半導体結晶の格子定数とは異なる格子定数を有し、また前記量子ドットを形成する半導体結晶のバンドギャップよりも大きな第3のバンドギャップを有する第3の半導体結晶よりなる第3のバリア層とよりなり、
前記第3のバリア層は、前記第2のバリア層中に形成された前記量子ドットの頂部に接することを特徴とする量子光半導体装置。
IPC (4件)：
H01S5/343
, H01L21/205
, H01L29/06
, H01L33/00
H01S5/343
, H01L21/205
, H01L29/06 601D
, H01L33/00 A
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA39
, 5F041CA66
, 5F041CA67
, 5F041FF14
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045DA51
, 5F073AA75
, 5F073BA02
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073DA06
, 5F073DA07
, 5F073EA22
, 5F073EA23
