特許
J-GLOBAL ID：200903038222871860

パターン形成方法

発明者：
阿部 隆幸

阿部 隆幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230312
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043661
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：
【要約】【課題】 マスク製造時に総合的に発生する大局的寸法変動を補正し、より高精度なマスクを製造する。【解決手段】 設計パターンに基づいて、パターン露光に供されるマスクを製造するためのマスクの製造方法であって、マスクの製造に使用する装置群(電子線露光装置,現像装置,エッチング装置)を用いた時の、マスク上の位置と寸法変動との相関関係及びパターンの特性と寸法変動との相関関係を予め調べておき、装置群を用いてマスクを作製する際に、各相関関係のデータを利用して、寸法変動が許容範囲となる小さな領域毎に設計パターンの寸法を一律に補正し、この補正したパターン寸法に基づいてマスクに所望パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
試料上に所望のパターンを形成するためのパターン形成方法であって、パターン形成のために使用する装置群を用いた時の大局的寸法変動の特性を予め調べておき、前記装置群を用いて前記試料上にパターンを形成する際に、所定の寸法変動が生じる距離の目安よりも小さな領域毎に、前記寸法変動特性を利用してその領域内部のパターンの寸法を補正し、この補正情報に基づいて所望のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 541 M
Fターム (8件)：
2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA01 ,  5F056CA13 ,  5F056CD09
引用特許：
審査官引用 (14件)
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