ガラス基体へのめっき方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板及び垂直磁気記録媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112057
公開番号（公開出願番号）：特開2006-291270
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】ガラス材料からなる基体上に1μm以上の厚い膜であっても密着性良く均一に無電解めっき法でめっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法を提供する。【解決手段】ガラス材料からなる基体上に、少なくとも、ガラス活性化処理S2、シランカップリング剤処理S3、Pd触媒化処理S4、Pd結合化処理S5を順次施した後、無電解めっきS6により0.02μm以上0.5μm以下の膜厚にめっき膜を形成して200°C以上350°C以下の温度にてアニール処理S7を施し、そのめっき膜上に無電解めっきS8を施す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガラス材料からなる基体上に、少なくとも、ガラス活性化処理、シランカップリング剤処理、Pd触媒化処理、Pd結合化処理を順次施した後、無電解めっき法により0.02μm以上0.5μm以下の膜厚にめっき膜を形成して200°C以上350°C以下の温度にてアニール処理を施し、そのめっき膜上に無電解めっきを施すことを特徴とするガラス基体へのめっき方法。

IPC (8件)：

C23C 18/18 , C23C 18/31 , C23C 18/52 , G11B 5/667 , G11B 5/84 , G11B 5/858 , H01F 10/12 , H01F 41/24

FI (8件)：

C23C18/18 , C23C18/31 A , C23C18/52 B , G11B5/667 , G11B5/84 Z , G11B5/858 , H01F10/12 , H01F41/24

Fターム (37件)：

4K022AA03 , 4K022AA31 , 4K022AA44 , 4K022BA06 , 4K022BA09 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA32 , 4K022BA36 , 4K022CA05 , 4K022CA06 , 4K022CA21 , 4K022CA22 , 4K022DA01 , 4K022EA01 , 5D006BB08 , 5D006CA03 , 5D006CB04 , 5D006DA03 , 5D006DA08 , 5D112AA02 , 5D112AA03 , 5D112AA13 , 5D112AA24 , 5D112BA03 , 5D112BB01 , 5D112EE01 , 5D112GA26 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA08 , 5E049CB01 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5E049KC01

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平1-176079号公報
特開昭53-19932号公報
特開昭48-85614号公報

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審査官引用 (5件)

磁気記録媒体用基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280262 出願人：三菱化学株式会社
特開昭50-149541
防撓構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-205873 出願人：三菱重工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

電子情報通信学会総合大会講演論文集「エレクトロニクス(2)」, 2003, 18頁

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