特許
J-GLOBAL ID:200903038267946984

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-326136
公開番号(公開出願番号):特開2005-093788
出願日: 2003年09月18日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
【課題】 熱硬化性接着フィルムを用いて超音波振動を利用した金属接合によるフリップチップ接続を行なうことによって、良好な接続信頼性を示す半導体装置および高い生産性を実現する製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、(a)突出した接続端子を有する半導体チップと配線パターンの形成された基板と熱硬化性接着フィルムを準備する工程、(b)基板表面に熱硬化性接着フィルムを貼り付けて接着樹脂層を形成する工程、(c)半導体チップの突出した接続端子と基板表面の配線パターンを位置合わせした後、加熱・加圧した状態で超音波振動を印加することにより半導体チップの突出した接続端子と基板表面の配線パターンを電気的に接続するとともに半導体チップと基板を接着樹脂層にて接着する工程、(d)接着樹脂層の硬化反応率を80%以上にする加熱処理を行なう工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体装置の製造方法において、 (a)突出した接続端子を有する半導体チップと配線パターンの形成された基板と熱硬化性接着フィルムを準備する工程、 (b)基板表面に熱硬化性接着フィルムを貼り付けて接着樹脂層を形成する工程、 (c)半導体チップの突出した接続端子と基板表面の配線パターンを位置合わせした後、加熱・加圧した状態で超音波振動を印加することにより半導体チップの突出した接続端子と基板表面の配線パターンを電気的に接続するとともに半導体チップと基板を接着樹脂層にて接着する工程、 (d)接着樹脂層の硬化反応率を80%以上にする加熱処理を行なう工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (1件):
H01L21/60 311S
Fターム (4件):
5F044LL11 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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