特許
J-GLOBAL ID：200903038297210214

基板処理法及び基板処理装置

発明者：
中務 勝吉

中務 勝吉 について

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小笠原 和久

小笠原 和久 について

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堺原 義晶

堺原 義晶 について

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春木 佳弘

春木 佳弘 について

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川手 宗則

川手 宗則 について


出願人/特許権者：
エス・イー・エス株式会社

エス・イー・エス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人ウィンテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-190654
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026478
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】乾燥ガスが複数枚の基板集合体に均一且つ安定に供給できるようにした基板処理法および装置を提供することにある。【解決手段】処理槽10を洗浄処理部15と乾燥処理部30とに区分し、両処理部の接合部に隙間を形成し、この隙間をシンク29に連通させ、基板乾燥時に、基板を洗浄処理部から該乾燥処理部へ移動させ、隙間が形成された下方に多孔板28を挿入し、乾燥処理部30の内圧がシンク29の内圧より高く、かつ洗浄処理部15の内圧が乾燥処理部30の内圧より低くなるようにして、乾燥ガスを該基板に噴射するようにする。この場合、前記多孔板28は、所定径の小孔を複数個設けたパンチングプレートであることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理槽を洗浄処理部と乾燥処理部とに区分し、該両処理部の接合部に隙間を形成し、該隙間をシンクに連通させ、基板乾燥時に、該基板を該洗浄処理部から該乾燥処理部へ移動させ、該隙間が形成された下方に多孔板を挿入し、該乾燥処理部の内圧がシンクの内圧より高く、かつ該洗浄処理部の内圧が乾燥処理部の内圧より低くなるようにして、乾燥ガスを該基板に噴射させることを特徴とする基板処理法。
IPC (2件)：
H01L21/304 ,  B08B5/02
FI (3件)：
H01L21/304 651L ,  H01L21/304 651J ,  B08B5/02 A
Fターム (13件)：
3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB08 ,  3B116AB44 ,  3B116BB02 ,  3B116BB03 ,  3B116BB11 ,  3B116BB82 ,  3B116BB88 ,  3B116CC01 ,  3B116CC03 ,  3B116CD11 ,  3B116CD43
引用特許：
出願人引用 (7件)
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