基板処理方法及び基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：萩原康司 , 金本哲男 , 亀谷美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-380090
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036180
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】乾燥後の基板にパーティクルが発生することを防止でき,かつ,IPA等の使用量を抑制できる基板処理方法,及び,基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Wを処理流体DIWによって処理する工程と,基板Wの上面に前記処理流体DIWよりも揮発性が高い第一の流体IPAを供給して液膜を形成する工程と,基板Wを回転させながら,基板Wの上面に前記処理流体DIWよりも揮発性が高い第二の流体IPAを供給する工程と,を有し,前記第二の流体IPAを供給する工程において,前記第二の流体IPAの供給位置は,基板Wの略中心Po側から周縁部側に向かって基板Wと相対的に移動させるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理流体によって処理する工程と, 基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を供給して液膜を形成する工程と, 基板を回転させながら,基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を供給する工程と,を有し, 前記第二の流体を供給する工程において,前記第二の流体の供給位置は,基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする,基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (6件)：

H01L21/304 651B , H01L21/304 651L , H01L21/304 651H , H01L21/304 647A , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648H

引用特許：

出願人引用 (2件)

回転基材の表面から液体を除去する方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-306256 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-390135 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

審査官引用 (4件)

洗浄方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-148606 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
基板洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-398362 出願人：ソニー株式会社
基板処理装置および現像処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-241595 出願人：東京エレクトロン株式会社

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