特許

J-GLOBAL ID：200903038411898914

窒化物半導体装置の製造方法

発明者： 山本 秀一郎 ,  近江 晋 ,  伊藤 茂稔 ,  高谷 邦啓 ,  川上 俊之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156972
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347660
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 GaN基板裏面に、良好なオーミック特性を有し、かつ高い密着性を有する電極構造を提供する。【解決手段】 GaN基板裏面に電極を形成する際に、GaN基板裏面をドライエッチング処理することによって、GaN基板裏面との間に良好なオーミック特性を有して、かつ密着性の高い電極を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

GaN基板を用いた窒化物半導体装置の製造方法であって、GaN基板主面に窒化物半導体層を成長する工程と、GaN基板の裏面を研磨する工程と、GaN基板裏面にドライエッチングを行う工程と、前記GaN基板裏面に電極を形成する工程と、電極形成後に熱処理を行う工程とをこの順に有することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/042 612 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610

FI (4件)：

H01S 5/042 612 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/343 610

Fターム (17件)：

5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302586   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-074966   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-203306   出願人：三洋電機株式会社
• 発光素子および発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-153499   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138667   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-156223   出願人：シャープ株式会社