特許
J-GLOBAL ID：200903073194608511
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-156223
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339101
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、発光強度と光取出し効率の改善、および低い動作電圧の実現を可能ならしめる。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板101上において順に積層されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>N(0≦x<1;0<y≦1;0<x+y≦1)活性層104、p型半導体層105,106、および金属Pd薄膜電極層107を少なくとも含み、その活性層104とPd薄膜107との間隔が10nm以上で400nm以下であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上において順に積層されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>N(0≦x<1;0<y≦1;0<x+y≦1)活性層、p型半導体層、および金属Pd薄膜を少なくとも含み、前記活性層と前記Pd薄膜との間隔が10nm以上で400nm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 5/323
5F041AA24
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F073AA55
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073EA29
