特許
J-GLOBAL ID：200903038450212400
光導波路デバイスおよび進行波形光変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136740
公開番号（公開出願番号）：特開2004-341147
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】光導波路デバイスにおいて、温度ドリフトやDCドリフトの点での信頼性を一層向上させ、信号電圧を印加したときの光パワーにおけるヒステリシス現象を防止し、かつ長期DCドリフトを抑制する。【解決手段】デバイス1は、光導波路基板19、基板19を保持する保持基体2および接着層3を備える。基板1が、電気光学材料からなり、相対向する一方の主面4aと他方の主面4dとを備える厚さ30μm以下の平板状の基板本体4、基板本体4に設けられる光導波路5b、5c、および基板本体4に設けられた電極7A〜7Cを備える。接着層3によって保持基体2と基板本体4の他方の主面4dとが接着される。保持基体2における熱膨張係数の最小値が本体1における熱膨張係数の最小値の1/5倍以上でありかつ基体2における熱膨張係数の最大値が本体1における熱膨張係数の5倍以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光導波路基板、この光導波路基板を保持する保持基体、および前記光導波路基板と前記保持基体とを接着する接着層を備えている光導波路デバイスであって、
前記光導波路基板が、電気光学材料からなり、相対向する一方の主面と他方の主面とを備えている厚さ30μm以下の平板状の基板本体、この基板本体に設けられている光導波路、および前記基板本体に設けられた電極を備えており、前記接着層によって前記保持基体と前記基板本体の前記他方の主面とが接着されており、前記保持基体における熱膨張係数の最小値が、前記基板本体における熱膨張係数の最小値の1/5倍以上であり、かつ前記保持基体における熱膨張係数の最大値が前記基板本体における熱膨張係数の最大値の5倍以下であることを特徴とする、光導波路デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
2H047NA02
, 2H047QA03
, 2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA03
, 2H079EA05
, 2H079EB05
, 2H079HA23
, 2H079JA04
, 2H079JA08
, 2H079KA11
審査官引用 (6件)
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光導波路素子およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-107134
出願人：松下電器産業株式会社
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広帯域光変調素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-013672
出願人：松下電器産業株式会社
-
特開平4-163420
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