特許
J-GLOBAL ID：200903038507736931

不揮発性強誘電体メモリ装置

発明者：
姜 煕 福

姜 煕 福 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268558
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、メインセルと参照セルのアクセスされる数を同じくすることで、寿命を延長さた不揮発性強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】 複数のサブセルアレイで構成させ、メイングローバルビットライン及び少なくとも一対の参照グローバルビットラインとを用意し、サブアレイ内でそれぞれのメイングローバルビットライン及び参照グローバルビットラインに接続されるメインローカルビットライン及び参照ローカルビットラインをグループ分けして接続した。その際、各ローカルビットラインとグローバルビットラインの間にスイッチング素子を設け、ローカルビットラインを選択できるように接続した。
請求項（抜粋）：
複数のサブセルアレイと、前記各サブセルアレイを横切る方向に形成される複数のメイングローバルビットライン及び少なくとも一対の参照グローバルビットラインと、前記各メイングローバルビットライン及び参照グローバルビットラインに対応して形成されるメインローカルビットライン及び参照ローカルビットラインと、前記各ローカルビットラインと該グローバルビットラインの間に構成されるスイッチング素子とを含むメインセルアレイ部;前記メインセルアレイ部の下部又は上部に形成され、前記一対の参照グローバルビットラインのうち、1本のビットラインを介して印加される信号をセンシングして参照電圧を出力する参照センスアンプで構成される参照ビットラインコントローラ;前記参照ビットラインコントローラの一側に形成され、前記メイングローバルビットラインごとに連結され前記参照電圧を受けてグローバルビットラインを介して印加される信号をセンシングする複数のメインセンスアンプで構成されるメインビットラインコントローラ;前記メインセルアレイ部の一側に形成されるスプリットワードライン駆動部を含むことを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/22 ,  G11C 14/00
FI (2件)：
G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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