特許
J-GLOBAL ID：200903094538622206

半導体記憶装置

発明者：
松尾 龍一

松尾 龍一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083486
公開番号（公開出願番号）：特開平7-296589
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【構成】 カラム及びロー方向にマトリックス状に配列された複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイを有するSRAMにおいて、前記カラム方向に隣合うメモリセル(例えば、M1とM2)に共用された相補ビット線(/B0、B1)と、前記カラム方向の各メモリセル(例えば、M1とM2)に対して交互に選択されるワード線(例えば、WL0とWL1)を備えたものである。【効果】 相補ビット線がカラム方向に隣合うメモリセルに共用されるので、相補ビット線の占有面積を減らしてメモリセルアレイの面積の集積度を高めることができる。
請求項（抜粋）：
カラム及びロー方向にマトリックス状に配列された複数のメモリセルから構成されるメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、前記カラム方向に隣合うメモリセルに共用されたビット線、及び前記カラム方向の各メモリセルに対して交互に選択されるワード線を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/418 ,  G11C 11/41
FI (2件)：
G11C 11/34 301 B ,  G11C 11/40 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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