特許
J-GLOBAL ID：200903038586451157
反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-254431
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347777
出願日： 2005年09月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】正確かつ迅速なマスクパターン検査を可能とする反射型マスク及びマスクブランクスを提供する。【解決手段】基板11上に、順に、極端紫外光領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層12、マスクパターン形成時に該反射層12を保護するバッファー層13、及び露光光を吸収する吸収体層16を有してなり、この吸収体層16は極端紫外光領域を含む短波長域の露光光の吸収体からなる吸収体層14を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体からなる低反射層15を上層とした二層構造からなるマスクブランクスである。反射型マスク2は、このマスクブランクスにおける吸収体層16をパターン状に形成してなる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に、順に極端紫外線領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層、吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するためのバッファー層及び露光光を吸収する吸収体層を有してなるマスクブランクスであって、前記吸収体層が、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する吸収体層を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射層を上層とした少なくとも二層構造であり、前記上層が、タンタル(Ta)とホウ素(B)と酸素(O)とを含む材料からなり、前記バッファー層がCr又はCrを主成分とする物質で形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC14
, 2H095BC20
, 2H095BC24
, 2H095BD04
, 2H095BD12
, 2H095BD21
, 2H095BD32
, 2H095BD33
, 2H095BD35
, 2H095BD40
, 5F046GD01
, 5F046GD07
, 5F046GD10
, 5F046GD11
, 5F046GD16
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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