特許
J-GLOBAL ID:200903038623943642
静電チャック
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
▲桑▼原 史生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-134121
公開番号(公開出願番号):特開2002-246454
出願日: 2001年05月01日
公開日(公表日): 2002年08月30日
要約:
【要約】【目的】半導体やFPD(液晶等)の製造プロセスに好適に用いられる静電チャックを提供する。【構成】絶縁基材(1,2)上に導体電極(3)を配置し、導体電極の表面を被膜層(4)で被覆した構成の静電チャックにおいて、被膜層が非晶質炭素を主成分とし、ラマン分析により炭素のラマンスペクトルを4つのピークに分割した場合において1360cm-1のピーク高さを1としたときの1500cm-1のピーク高さ比が0.7〜1.2の範囲であって、108〜1013Ω・cmの範囲の電気抵抗率を有することを特徴としている。被膜層の厚さは2.5μm以上であることが好ましい。この被膜層は、プラズマ化学的気相蒸着法によって成膜し、15〜26atom%の水素を含有するものであることが好ましい。
請求項(抜粋):
絶縁基材上に導体電極を配置し、導体電極の表面を被膜層で被覆した構成の静電チャックにおいて、被膜層が非晶質炭素を主成分とし、ラマン分光分析により炭素のラマンスペクトルを4つのピークに分割した場合において1360cm-1のピーク高さを1としたときの1500cm-1のピーク高さ比が0.7〜1.2の範囲であって、108〜1013Ω・cmの範囲の電気抵抗率を有することを特徴とする静電チャック。
IPC (3件):
H01L 21/68
, C23C 14/50
, C23C 16/458
FI (3件):
H01L 21/68 R
, C23C 14/50 A
, C23C 16/458
Fターム (19件):
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BD01
, 4K029JA01
, 4K029JA05
, 4K030AA09
, 4K030BA27
, 4K030BB05
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030GA02
, 5F031CA02
, 5F031CA05
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA16
, 5F031MA29
, 5F031MA32
, 5F031PA30
引用特許: