特許
J-GLOBAL ID:200903038623943642

静電チャック

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ▲桑▼原 史生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-134121
公開番号(公開出願番号):特開2002-246454
出願日: 2001年05月01日
公開日(公表日): 2002年08月30日
要約:
【要約】【目的】半導体やFPD(液晶等)の製造プロセスに好適に用いられる静電チャックを提供する。【構成】絶縁基材(1,2)上に導体電極(3)を配置し、導体電極の表面を被膜層(4)で被覆した構成の静電チャックにおいて、被膜層が非晶質炭素を主成分とし、ラマン分析により炭素のラマンスペクトルを4つのピークに分割した場合において1360cm-1のピーク高さを1としたときの1500cm-1のピーク高さ比が0.7〜1.2の範囲であって、108〜1013Ω・cmの範囲の電気抵抗率を有することを特徴としている。被膜層の厚さは2.5μm以上であることが好ましい。この被膜層は、プラズマ化学的気相蒸着法によって成膜し、15〜26atom%の水素を含有するものであることが好ましい。
請求項(抜粋):
絶縁基材上に導体電極を配置し、導体電極の表面を被膜層で被覆した構成の静電チャックにおいて、被膜層が非晶質炭素を主成分とし、ラマン分光分析により炭素のラマンスペクトルを4つのピークに分割した場合において1360cm-1のピーク高さを1としたときの1500cm-1のピーク高さ比が0.7〜1.2の範囲であって、108〜1013Ω・cmの範囲の電気抵抗率を有することを特徴とする静電チャック。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/458
FI (3件):
H01L 21/68 R ,  C23C 14/50 A ,  C23C 16/458
Fターム (19件):
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029JA01 ,  4K029JA05 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA30
引用特許:
審査官引用 (4件)
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