特許
J-GLOBAL ID：200903038792424506

珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について

, 
石原 俊信

石原 俊信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180392
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083873
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む珪素含有高分子化合物。【化1】(R1は単結合又はアルキレン基、R2は水素原子又はアルキル基、R3、R4、R5はアルキル基、ハロアルキル基、アリール基又は珪素含有基、R6は水素原子、メチル基、シアノ基、又は-C(=O)OR8、R8は水素原子、アルキル基又は酸不安定基、R7はアルキル基、-NR9R10又は-OR11であり、R9、R10、R11は水素原子又はアルキル基である。a、bは正数で、0<a+b≦1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
IPC (4件)：
C08F230/08 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (4件)：
C08F230/08 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R
Fターム (37件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07R ,  4J100AE02R ,  4J100AL04R ,  4J100AL34R ,  4J100AP01Q ,  4J100AP16P ,  4J100AR02R ,  4J100BA04R ,  4J100BA20R ,  4J100BA55Q ,  4J100BA59Q ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BC04P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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