特許
J-GLOBAL ID：200903038798012498

半導体装置および電気光学装置

発明者：
石黒 英人

石黒 英人 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-327889
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141091
出願日： 2006年12月05日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】キンク効果に起因して薄膜トランジスタの飽和動作領域にソース・ドレイン電流の変動がある場合でも、安定した出力を得ることができる半導体装置および電気光学装置を提供することにある。【解決手段】薄型トランンジスタ10は、多結晶シリコン膜1aを能動層として有しており、ドレイン側の第1の薄膜トランジスタ部10aと、ソース側の第2の薄膜トランジスタ部10bとが直列接続されたマルチゲート構造を有している。第1の薄膜トランジスタ部10aは、第1のフロントゲート電極3aと、この第1のフロントゲート電極3aに電気的に接続されたドレイン側バックゲート電極8aとを備え、第2の薄膜トランジスタ部10bは、第2のフロントゲート電極3bと、ソース電位が印加されるソース側バックゲート電極8bとを備えている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に形成された多結晶シリコン膜を能動層として備えた薄膜トランジスタを有する半導体装置において、 前記多結晶シリコン膜は、第1のゲート絶縁層と前記第2のゲート絶縁層との層間に形成され、 前記薄膜トランジスタは、前記多結晶シリコン膜のドレイン側の位置する第1のチャネル領域、および該第1のチャネル領域に前記第1のゲート絶縁層を介して対向する第1のフロントゲート電極を備えた第1の薄膜トランジスタ部と、前記多結晶シリコン膜において前記第1のチャネル領域に対して不純物導入領域を介してソース側で隣接する第2のチャネル領域、および該第2のチャネル領域に前記第1のゲート絶縁層を介して対向する第2のフロントゲート電極を備えた第2の薄膜トランジスタ部とを有し、 前記第1の薄膜トランジスタ部と前記第2の薄膜トランジスタ部とは導電型が同一であって直列に接続されているとともに、前記第1のフロントゲート電極と前記第2のフロントゲート電極とは電気的に接続され、 前記第2のチャネル領域に対して前記第2のゲート絶縁層を介して対向する領域には、ソース電位が印加されるソース側バックゲート電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 626B ,  H05B33/14 A
Fターム (42件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC35 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F110AA15 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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