半導体層間絶縁膜形成用組成物とその製造方法、膜形成方法と半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036343
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205008
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】通常の半導体製造プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、機械強度及び誘電特性に優れた新たな多孔質膜形成用塗布液、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】下記一般式(1) Si(OR1)4 (1)で表される4官能性アルコキシシラン化合物、及び、下記一般式(2) R2nSi(OR3)4-n (2)で表されるアルコキシシラン化合物をそれぞれ少なくとも1種以上含む加水分解性シラン化合物を、酸性触媒の存在下、大過剰の水を含む反応液中で加水分解及び縮合を行って得たポリシロキサン化合物と酸化ケイ素系微粒子とを含有する多孔質膜形成用組成物である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化ケイ素系微粒子と、成膜時、縮合することで前記酸化ケイ素系微粒子間にケイ素-酸素-ケイ素結合を形成し、前記酸化ケイ素系微粒子が作る骨格の強度を向上させるポリシロキサン化合物とを含有する多孔質膜形成用組成物。

IPC (9件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , C09D 183/00 , C09D 7/12 , C09D 1/00 , C09D 5/25 , C08J 9/26 , C08K 3/36 , C08L 83/04

FI (10件)：

H01L21/316 G , H01L21/90 Q , C09D183/00 , C09D7/12 , C09D1/00 , C09D5/25 , C08J9/26 102 , C08J9/26 , C08K3/36 , C08L83/04

Fターム (42件)：

4F074AA90 , 4F074AB01 , 4F074AC32 , 4F074CB34 , 4F074CC29Y , 4F074DA47 , 4J002CP031 , 4J002DJ016 , 4J038AA001 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038HA096 , 4J038HA326 , 4J038HA376 , 4J038HA442 , 4J038JA01 , 4J038JA17 , 4J038JA25 , 4J038JA32 , 4J038JA35 , 4J038JA55 , 4J038JB01 , 4J038JC13 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038MA09 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038PA20 , 4J038PA21 , 4J038PB09 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033XX24 , 5F058BC04 , 5F058BC05 , 5F058BD06 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (6件)

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-299684 出願人：触媒化成工業株式会社
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-329128 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社
オルガノポリシロキサン樹脂及びその製造方法並びにそれを用いた硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165189 出願人：信越化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る