特許
J-GLOBAL ID：200903081958892140
多孔質膜形成用組成物、その製造方法、多孔質膜及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-017994
公開番号（公開出願番号）：特開2005-216895
出願日： 2004年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 本発明は、通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、機械的強度及び誘電特性に優れた多孔質膜形成用塗布液を提供する。【解決手段】 ポリシロキサン微粒子、シリカ微粒子又はゼオライト微粒子(A成分)を製造する工程と、該A成分に架橋性を付与する工程と、その架橋性を一時的に停止させる工程とを含む多孔質膜形成用組成物の製造方法、及び該方法によって得られる多孔質膜形成用組成物を提供する。また、上記A成分を製造する工程と、該A成分に架橋性を付与する工程と、その架橋性を一時的に停止させる架橋性抑制材を添加して孔質膜形成用組成物を得る工程と、該多孔質膜形成用組成物を基板上に塗布して膜を形成する工程と、該膜を乾燥する工程と、乾燥された膜を加熱し、上記架橋性抑制材を熱的に除去して上記微粒子を架橋する工程とを含んでなる多孔質膜の形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ポリシロキサン微粒子、シリカ微粒子又はゼオライト微粒子(以下、A成分という。)を製造する工程と、該A成分に架橋性を付与する工程と、その架橋性を一時的に停止させる工程とを含むことを特徴とする多孔質膜形成用組成物の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/316
, C01B33/12
, C04B38/00
, H01L21/768
H01L21/316 G
, C01B33/12 C
, C04B38/00 304Z
, H01L21/90 Q
4G019GA04
, 4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072GG02
, 4G072HH14
, 4G072HH28
, 4G072HH33
, 4G072JJ47
, 4G072NN21
, 4G072UU01
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033XX24
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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