特許

J-GLOBAL ID：200903038946920919

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 三浦 大祐 ,  中山 寛晴 ,  大西 俊暢 ,  久保田 純 ,  桝本 茜 ,  杉山 さとみ
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067440
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259875
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 簡便に作製できる上、結晶性や配向性に優れているため高い電界効果移動度とON/OFF比を示す電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともポルフィリン化合物を含み、かつCuKαX線回折ブラッグ角(2θ)9.9°〜10.4°の領域における最大回折強度I1が23.0°〜26.0°の領域における最大回折強度I2よりも強いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともポルフィリン化合物を含み、かつCuKαX線回折ブラッグ角(2θ)9.9°〜10.4°の領域における最大回折強度I1が23.0°〜26.0°の領域における最大回折強度I2よりも強いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (34件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社
• ダイオード素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-316710   出願人：松下技研株式会社
• αヘキサチエニールを含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039190   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所
• 有機電子デバイス及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104639   出願人：三菱化学株式会社
• 有機半導体材料及び有機電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-084816   出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (3件)

• 有機電子デバイス及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104639   出願人：三菱化学株式会社
• 有機半導体材料及び有機電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-084816   出願人：三菱化学株式会社
• 連続鋳造用ノズルおよびそれを用いた鋼の連続鋳造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-124179   出願人：新日本製鐵株式会社