特許
J-GLOBAL ID：200903038957622642

半導体装置及びその製造方法

発明者：
尾崎 康孝

尾崎 康孝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334129
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172232
出願日： 2002年11月18日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】従来よりも工程数を減らしながら、導電性プラグの酸化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板1の第1絶縁層8内に形成された第1導電性プラグ10b上、第2導電性プラグ10a上、及び第1絶縁層8上に絶縁性酸素バリア層30を形成する工程と、第1導電性プラグ10bの上の絶縁性酸素バリア層30に第1開口30aを形成する工程と、絶縁性酸素バリア層30上と第1開口30a内に酸素バリアメタル層11を形成する工程と、化学機械研磨法により酸素バリアメタル層11を研磨し、それを第1開口30a内に残しながら絶縁性酸素バリア層30の上面上から除去する工程と、第1導電性プラグ10b上の酸素バリアメタル層11上にキャパシタQを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の表層に形成された第1の不純物拡散領域及び第2の不純物拡散領域と、 前記半導体基板の上方に形成された第1絶縁層と、 前記第1絶縁層に形成された第1のホール及び第2のホールと、 前記第1のホール内に形成されて前記第1の不純物拡散領域と電気的に接続された第1導電性プラグと、 前記第2のホール内に形成されて前記第2の不純物拡散領域と電気的に接続された第2導電性プラグと、 前記第1絶縁層上と前記第2導電性プラグ上とに酸化防止絶縁層と絶縁性密着層とを順に積層してなり、前記第1導電性プラグの上に第1開口を有し、該第1開口の側面の一部が前記絶縁性密着層により画定された絶縁性酸素バリア層と、 前記第1開口内に形成され、前記絶縁性密着層の上面と協同して平坦面を構成する上面を有し、且つ前記第1導電性プラグと電気的に接続された酸素バリアメタル層と、 前記酸素バリアメタル層上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/90 A
Fターム (76件)：
5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN37 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F033XX04 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20 ,  5F083FR02 ,  5F083GA28 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F083PR41
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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