特許
J-GLOBAL ID：200903028423239384
半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341392
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217381
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルのキャパシタ容量を減少させることなく集積度を増加させることを可能とした半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、この半導体基板1上に形成された層間絶縁膜4と、この層間絶縁膜4上に形成された第1電極9と、この第1電極9上に形成された第1強誘電体膜10と、この第1強誘電体膜10上に形成された第2電極11と、この第2電極11上に形成された第2強誘電体膜12と、この第2強誘電体膜12上に形成された第3電極13とを有する半導体記憶装置である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された第1強誘電体膜と、前記第1強誘電体膜上に形成された第2電極と、前記第2電極上に形成された第2強誘電体膜と、前記第2強誘電体膜上に形成された第3電極とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
Fターム (20件)：
5F083FR02
, 5F083GA09
, 5F083JA02
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA19
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083KA05
, 5F083KA19
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA19
, 5F083PR33
, 5F083PR34
