特許
J-GLOBAL ID：200903039035479677
メモリ制御装置および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251591
公開番号（公開出願番号）：特開2009-086702
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】複数種類の半導体メモリに柔軟に対応することが可能なメモリ制御装置および半導体装置を提供する。【解決手段】このSDRAMコントローラ3は、発行すべきコマンドとコマンドを発行してから次のコマンドを発行するまでの最小間隔(待機時間)とがCPU1によって書き込まれるレジスタ部6と、レジスタ部6に書き込まれたコマンドを発行した後、レジスタ部6に書き込まれた最小間隔が経過するまで次のコマンドの発行を停止するコマンド発行部9とを備える。したがって、CPU1用のソフトウェアを変更することにより複数種類のSDRAM5に柔軟に対応できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
一連のコマンドを発行して半導体メモリを制御するメモリ制御装置であって、
発行すべきコマンドと該コマンドを発行してから次のコマンドを発行するまで待機すべき時間とが外部制御装置によって書き込まれるレジスタと、
前記レジスタに書き込まれたコマンドを発行した後、前記レジスタに書き込まれた待機すべき時間が経過するまで次のコマンドの発行を停止するコマンド発行部とを備える、メモリ制御装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G06F12/00 564C
, G06F12/00 597C
出願人引用 (1件)
-
メモリ制御装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-173292
出願人：旭化成工業株式会社
審査官引用 (5件)
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