特許
J-GLOBAL ID：200903039050260657

LED用共晶基板及びその製造方法

発明者：
東海林 巌

東海林 巌 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-097920
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273744
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】 本発明は、表面のヒロックの発生や下地層を構成するNiの表面拡散を抑制するようにした、AuSn共晶接合のためのLED用共晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Si基板11と、この基板上に形成された複数の下地層13〜15と、この下地層の最上層のNi層15の上に形成されたAg薄膜16と、このAg薄膜上のLEDチップ実装部及びボンディング部の領域に形成されたAg合金膜17及びLEDチップ実装部及びボンディング部を除いた表面領域に形成された透光性導電膜18と、を含んでおり、上記Ag薄膜及びAg合金膜の膜厚が400nm以上であるように、LED用共晶基板10を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に順次に形成された少なくとも最上層にNiを含む複数の下地層と、このNi下地層の上に形成されたAg薄膜と、このAg薄膜上の少なくともLEDチップ実装部及びボンディング部の領域に形成されたAg合金膜と、LEDチップ実装部及びボンディング部を除いた表面領域に形成された透光性導電膜と、を含んでおり、 上記Ag薄膜及びAg合金膜の合計膜厚が400nm以上であることを特徴とする、LED用共晶基板。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L21/28 301R
Fターム (22件)：
4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH03 ,  4M104HH05 ,  5F041AA31 ,  5F041AA33 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F041DA33 ,  5F041DA36 ,  5F041DA39
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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