特許
J-GLOBAL ID：200903039110508980
窒素ドープアニールウエーハの製造方法及び窒素ドープアニールウエーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353225
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶にドープされた窒素濃度に影響されることなく、シリコン単結晶の各部位からスライスされたシリコン単結晶ウエーハにおけるアニール後のBMD密度のばらつきが緩和された窒素ドープアニールウエーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 窒素ドープしたシリコン単結晶からスライスされ、少なくとも研磨されたウェーハに、アルゴン、水素またはこれらの混合ガス雰囲気中で1100〜1350°Cの高温熱処理を施す前に、前記高温熱処理の処理温度未満の温度で滞留させる工程を行なうことにより、前記高温熱処理では消滅するサイズの酸素析出核を前記高温熱処理では消滅しないサイズに成長させ、その後前記高温熱処理を行う窒素ドープアニールウェーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
窒素ドープアニールウエーハの製造方法であって、少なくとも窒素ドープしたシリコン単結晶からスライスされ、研磨されたウェーハに、アルゴン、水素またはこれらの混合ガス雰囲気中で1100〜1350°Cの高温熱処理を施す前に、前記高温熱処理の処理温度未満の温度で滞留させる工程を行なうことにより、前記高温熱処理では消滅するサイズの酸素析出核を前記高温熱処理では消滅しないサイズに成長させ、その後前記高温熱処理を行うことを特徴とする窒素ドープアニールウェーハの製造方法。
引用特許：
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