特許
J-GLOBAL ID：200903039135375801

エッチング方法及びエッチング装置

発明者：
西塚 哲也

西塚 哲也 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228989
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053516
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】エッチングに際して、形成される溝部(トレンチ)と穴部(ホール)の各底部を実質的に同時にエッチングストッパ膜に到達させることができるエッチング方法を提供する。【解決手段】処理容器12内の載置台16上に被処理体Sを載置し、エッチングガスを供給しつつプラズマの存在下にて載置台に所定の周波数の高周波電力をバイアス電力として印加し、前記被処理体の表面に形成された、SiO2 膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜に対してエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、バイアス電力として第1の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第1の工程と、バイアス電力として第1の周波数とは異なる第2の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第2の工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空排気可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に所定のエッチングガスを供給しつつプラズマの存在下にて前記載置台に所定の周波数の高周波電力をバイアス電力として印加し、前記被処理体の表面に形成された、SiO2 膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜に対してエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、 前記バイアス電力として第1の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第1の工程と、 前記バイアス電力として前記第1の周波数とは異なる第2の周波数の高周波電力を印加してエッチングを施す第2の工程と、 を備えたことを特徴とするエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L21/302 101D ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 A
Fターム (34件)：
4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104HH14 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB23 ,  5F004DB30 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EA32 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR11 ,  5F033TT02 ,  5F033WW01 ,  5F033WW08 ,  5F033XX03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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