特許
J-GLOBAL ID：200903039141659579
窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康司
, 豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-358106
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165453
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】フリースタンディングGaN基板上で成長させた窒化物半導体素子の電気特性を改善する。【解決手段】窒化物半導体素子は、GaNよりなるフリースタンディングの基板と、基板上に形成されたn-AlxGa1-xN(0≦x≦0.05)よりなる第1バッファ層と、第1バッファ層上に形成されたn-InyGa1-yN(0<y≦0.1)よりなる第2バッファ層と、第2バッファ層上に形成されたAlGaN層とを備える。この構成により、バッファ層の機能を、再成長界面からの転位の発生を抑制する第1バッファ層と、クラックの発生を抑制する第2バッファ層とに分けることで、フリースタンディング基板上に高品質のAlGaN層を成長させ、電気特性の優れた窒化物半導体素子を得ることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
GaNよりなるフリースタンディングの基板と、
前記基板上に形成されたn-AlxGa1-xN(0≦x≦0.05)よりなる第1バッファ層と、
前記第1バッファ層上に形成されたn-InyGa1-yN(0<y≦0.1)よりなる第2バッファ層と、
前記第2バッファ層上に形成されたAlGaN層と、
を備えることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD12
, 5F045AD14
, 5F045AF05
, 5F045CA10
, 5F045CA13
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F173AA21
, 5F173AG14
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP84
, 5F173AR82
, 5F173AR83
