特許
J-GLOBAL ID:200903039254616809
固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-332475
公開番号(公開出願番号):特開2005-101864
出願日: 2003年09月24日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 暗電流の低減を図り画質が良好な画像が得られると共に、受光センサ部の取り扱い電荷量を充分に確保することを可能にする固体撮像素子の駆動方法、及び固体撮像素子を備えた固体撮像装置を提供する。【解決手段】 受光センサ部の第1導電型の電荷蓄積領域13の表面に第2導電型の半導体領域14が形成され、半導体基板11に形成された溝内に絶縁層から成る素子分離層20が埋め込まれて形成され、この素子分離層20の内部に電極22が埋め込まれて形成されている構成の固体撮像素子10に対して、少なくとも受光期間中において、電極22に電圧φV1を印加して、素子分離層20の周囲に第2導電型の半導体領域14の多数キャリアを蓄積させる蓄積層を形成する。また、前記固体撮像素子10と、電極22に対して電圧φV1を印加する電圧印加手段とを備えた固体撮像装置を構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
受光センサ部の第1導電型の電荷蓄積領域の表面に、第2導電型の半導体領域が形成され、
半導体基板に形成された溝内に、絶縁層から成る素子分離層が埋め込まれて形成され、
前記素子分離層の内部に、電極が埋め込まれて形成されている構成の固体撮像素子に対して、
少なくとも受光期間中において、前記電極に電圧を印加して、前記素子分離層の周囲に、前記第2導電型の半導体領域の多数キャリアを蓄積させる蓄積層を形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
IPC (3件):
H04N5/335
, H01L21/76
, H01L27/146
FI (4件):
H04N5/335 E
, H01L27/14 A
, H01L21/76 S
, H01L21/76 L
Fターム (25件):
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 5C024CX32
, 5C024CX45
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024HX41
, 5C024HX46
, 5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA63
, 5F032AC01
, 5F032AC04
, 5F032BA01
, 5F032BB03
, 5F032CA15
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (3件)
-
固体撮像装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-034157
出願人:ソニー株式会社
-
固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-381928
出願人:株式会社東芝
-
固体撮像装置とその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-083374
出願人:富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
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