特許
J-GLOBAL ID:200903039266788583
集束イオンビーム装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-003831
公開番号(公開出願番号):特開2002-208374
出願日: 2001年01月11日
公開日(公表日): 2002年07月26日
要約:
【要約】【課題】 集束イオンビーム照射により試料表面に形成される残存層、破砕層を除去するために用いる不活性元素イオンビーム装置として、小型で安価なペニング型不活性元素イオンビーム装置を用いる。【解決手段】 集束イオンビーム装置に取り付けられたペニング型不活性元素イオンビーム装置に、試料に近付いて不活性元素ビームを試料表面に照射する操作状態と、試料から離れて不活性元素イオンビームを試料に照射しない待避状態の二つの動作状態を持たせる。
請求項(抜粋):
液体金属イオン源と、液体金属イオン源から引き出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系と、前記イオンビームを試料上でオン/オフするためのブランキング電極とからなる集束イオンビーム発生部と、前記集束イオンビームを偏向走査するための偏向電極と、前記集束イオンビームが照射される試料を載置して移動可能な試料ステージと、前記試料ステージに載置した試料表面の前記集束イオンビームの照射領域を含んだ領域に不活性元素イオンビームを照射する不活性元素イオンビーム照射部からなる集束イオンビーム装置において、前記不活性元素イオンビーム照射部は、前記試料表面近傍に近づいて不活性元素イオンビームを試料に照射する操作状態と、前記試料表面近傍から離れて不活性元素イオンビームを試料に照射しない待避状態の二つの動作状態を持つことを特徴とする集束イオンビーム装置。
IPC (4件):
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/20
, H01J 37/28
FI (4件):
H01J 37/317 D
, C23C 14/48 D
, H01J 37/20 Z
, H01J 37/28 Z
Fターム (11件):
4K029CA07
, 4K029CA15
, 4K029DE02
, 4K029DE05
, 5C001AA01
, 5C001AA05
, 5C001AA06
, 5C001CC04
, 5C033UU03
, 5C033UU04
, 5C034DD06
引用特許:
審査官引用 (5件)
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集束イオンビーム装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-041560
出願人:セイコー電子工業株式会社
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複合荷電粒子ビーム装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-137119
出願人:セイコーインスツルメンツ株式会社
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複合荷電粒子ビーム装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-137120
出願人:セイコーインスツルメンツ株式会社
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荷電粒子装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-140005
出願人:セイコーインスツルメンツ株式会社
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特開昭57-109243
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