特許
J-GLOBAL ID：200903039298537604

ウェル近接効果を緩和する半導体装置

発明者：
チュン シン

チュン シン について


出願人/特許権者：
タイワン セミコンダクター マニュファクチャリング カンパニー リミテッド

タイワン セミコンダクター マニュファクチャリング カンパニー リミテッド について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-117258
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177518
出願日： 2007年04月26日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】 ウェル近接効果を緩和する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、基板内のウェルと、活性領域、及びゲート長が0.13μm以下であるゲートを有するトランジスタを備えている。ゲートの全体がウェル内にあるか、又はウェルの外部にまで延びており、活性領域のエッジとウェルのエッジとの間の最小間隔は、ゲート長の少なくとも3倍である。【選択図】 図5A
請求項（抜粋）：
ウェル近接効果を緩和する半導体装置であって、 基板内のウェルと、 活性領域、及びゲート長が0.13μm以下であるゲートを有するトランジスタとを備え、 前記ゲートの全体が前記ウェル内にあり、 前記活性領域のエッジと前記ウェルのエッジとの間の最小間隔は、前記ゲート長の少なくとも3倍である半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265
FI (5件)：
H01L29/78 301R ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 331D ,  H01L29/78 301Z ,  H01L21/265 Z
Fターム (12件)：
5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BE04 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140DB08
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (4件)
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