半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259163
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085686
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 MOS構造のゲートを有する半導体装置においてゲート絶縁膜特性及びトランジスタ特性を向上させるデバイス構造及びその製造方法を得る。【解決手段】半導体基板上に設けられた熱酸化膜9と、この熱酸化膜9よりもゲート電極11側に設けられたCVD酸化膜10の少なくとも2種類以上の絶縁膜を含む積層ゲート絶縁膜を備えたMOS構造のゲートを有する半導体装置において、CVD酸化膜10の比率を積層ゲート絶縁膜全体の膜厚の20%以上とする。さらに、熱酸化膜9またはCVD酸化膜10を形成後、N2 O、NH3 、NOガスによる窒化を行い、熱酸化膜/基板界面及びゲート電極/CVD酸化膜界面のいずれか一方または両方に窒素を偏析させてもよい。また、熱酸化膜9またはCVD酸化膜10を形成後、LPCVDによりSi3 N4 膜19を形成し、さらにSi3 N4 膜19表面を酸化して酸化膜を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

MOS構造のゲートを有する半導体装置において、半導体基板上に設けられた熱酸化膜とこの熱酸化膜よりもゲート電極側に設けられたCVD酸化膜の少なくとも2種類以上の絶縁膜を含む積層ゲート絶縁膜を備え、上記CVD酸化膜の比率を上記積層ゲート絶縁膜全体の膜厚の20%以上とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/76 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 21/316 S , H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/76 L , H01L 29/78 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 F

Fターム (31件)：

5F032AA36 , 5F032AA37 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA48 , 5F032AA54 , 5F032BB04 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032DA02 , 5F032DA03 , 5F032DA53 , 5F032DA58 , 5F032DA74 , 5F040DA19 , 5F040DC01 , 5F040EB14 , 5F058BA01 , 5F058BA09 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF62 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F058BJ07 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-232425 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
トレンチ構造を有する半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-186603 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066495 出願人：株式会社東芝

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