特許
J-GLOBAL ID：200903039359405315

超短パルスレーザを用いた回路形成方法

発明者：
田中 健一郎

田中 健一郎 について

, 
久保 雅男

久保 雅男 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133690
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 3次元回路形成基板の回路形成を熱影響などによるクラックなどが発生せず、導体薄膜や絶縁性基材にダメージを与えることもなく、回路形成の微細化を実現する。【解決手段】 3次元回路形成基板において、絶縁性基材1上に導電体からなる導体薄膜2を形成し、この導体薄膜2の非回路部分11をレーザにより除去して回路を形成する超短パルスレーザを用いた回路形成方法である。導体薄膜2の除去に用いるレーザとして、パルス幅がピコ秒以下の超短領域に設定された高強度超短パルスレーザ光を用いる。
請求項（抜粋）：
3次元回路形成基板において、絶縁性基材上に導電体からなる導体薄膜を形成し、この導体薄膜の非回路部分をレーザにより除去して回路を形成する方法であって、導体薄膜の除去に用いるレーザとして、パルス幅がピコ秒以下の超短領域に設定された高強度超短パルスレーザ光を用いることを特徴とする超短パルスレーザを用いた回路形成方法。
IPC (7件)：
H05K 3/08 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/18 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/10 ,  B23K101:42
FI (9件)：
H05K 3/08 D ,  B23K 26/00 E ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 P ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/18 ,  H05K 3/06 E ,  H05K 3/10 E ,  B23K101:42
Fターム (19件)：
4E068AH00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA17 ,  4E068CC01 ,  4E068CF00 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ09 ,  4E068DA11 ,  5E339AA01 ,  5E339AB06 ,  5E339AE01 ,  5E339BC02 ,  5E339BE05 ,  5E339CE11 ,  5E339CF06 ,  5E339DD03 ,  5E339GG10 ,  5E343AA23 ,  5E343BB03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (10件)
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