特許
J-GLOBAL ID：200903039433677160
基板支持装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-081902
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258500
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハベベル部に付着する堆積物を大幅に低減させる。【解決手段】プラズマ処理中のフォーカスリング温度をウエハ温度よりも低くする事により、フォーカスリングをコールドデポトラップとして機能させる。【効果】堆積性の強いCFxラジカルがフォーカスリングとウエハエッジ部の間に侵入した際、ウエハベベル部に付着する前にフォーカスリングにトラップされる。これにより、ベベル部への堆積物を抑制することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置の反応容器内の被処理基板を載置するための基板支持装置において、
被処理基板を載置する電極ブロック部と、当該電極ブロック部の外周に設置されているフォーカスリングと、前記電極ブロック部と前記フォーカスリングの間に、前記フォーカスリングの温度を前記被処理基板の温度よりも低くするフォーカスリング冷却手段を備えたことを特徴とする基板支持装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/205
H01L21/302 101G
, H01L21/205
5F004AA16
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BC02
, 5F004CA04
, 5F004CA08
, 5F004CA09
, 5F045AA08
, 5F045BB04
, 5F045BB15
, 5F045EC05
, 5F045EH08
, 5F045EJ03
, 5F045EM02
, 5F045EM05
, 5F045EM09
, 5F045GB05
, 5F045GB15
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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