特許
J-GLOBAL ID：200903039480920740

薄膜形成方法、電子デバイスの形成方法

発明者：
森井 克行

森井 克行 について

, 
増田 貴史

増田 貴史 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295162
公開番号（公開出願番号）：特開2003-260408
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2003年09月16日
要約：
【要約】【課題】基板上の所定位置に低分子化合物の薄膜を形成できるようにする。【解決手段】基板面を複数の領域に分割し、或る領域に液滴を形成した次の液滴の形成は別の領域に対して行う。これにより、各領域内で隣合う位置に対して時間を開けて液滴を形成し、液滴1-1が乾燥した後に、隣の液滴1-2の形成が行われるようにする。
請求項（抜粋）：
薄膜形成材料が溶媒に溶解している溶液を吐出することにより、前記溶液の液滴を基板上に複数個配置し、各液滴から溶媒を蒸発させることにより前記基板上に薄膜を形成する方法において、前記溶媒として、前記吐出時における蒸気圧が1.3×10-3Pa(1×10-5mmHg)以下である低蒸気圧溶媒を使用することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (6件)：
B05D 1/26 ,  G09F 9/00 342 ,  H01L 21/368 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
B05D 1/26 Z ,  G09F 9/00 342 Z ,  H01L 21/368 L ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/28
Fターム (39件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AE02 ,  4D075BB24Y ,  4D075BB24Z ,  4D075CA22 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC19 ,  4D075DC22 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EB44 ,  4D075EB47 ,  4D075EC07 ,  4D075EC30 ,  4D075EC51 ,  5F053AA00 ,  5F053AA48 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR04 ,  5F053RR11 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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