特許
J-GLOBAL ID：200903039554450805

薄膜形成方法及び装置

発明者：
新井 康司

新井 康司 について

, 
北川 雅俊

北川 雅俊 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394288
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194539
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：
【要約】【課題】 成膜速度が速く低コストで良質の保護膜を形成することによって、プラズマディスプレイパネルの低電圧化と発光効率向上を図ることができる薄膜形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 反応容器1内を排気して真空状態にすると共にスパッタリングガスを導入した状態で反応容器1内を所定圧力に制御し、成膜材料4を保持した成膜材料保持手段5に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、成膜材料4表面を成膜材料活性化手段11により活性化させながら、プラズマにより成膜材料4をスパッタリングすることで成膜材料4をクラスター化させ、そのクラスター化された成膜材料4を被処理体3に堆積させて成膜する。
請求項（抜粋）：
反応容器内を排気して真空状態にすると共にスパッタリングガスを導入した状態で反応容器内を所定圧力に制御し、成膜材料を保持した成膜材料保持手段に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、成膜材料表面を活性化させながら、プラズマにより成膜材料をスパッタリングすることで成膜材料をクラスター化させ、そのクラスター化された成膜材料を被処理体に堆積させて成膜することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02
FI (3件)：
C23C 14/34 S ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B
Fターム (16件)：
4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09 ,  5C027AA10 ,  5C040FA01 ,  5C040GB03 ,  5C040GB14 ,  5C040GE09 ,  5C040JA07 ,  5C040MA03 ,  5C040MA26
引用特許：
審査官引用 (9件)
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