特許
J-GLOBAL ID：200903039597279530

半導体製造のための化学機械的研磨システム

発明者：
バネル、ジェイムズ エフ.

バネル、ジェイムズ エフ. について

, 
ブレイ、チャド ビー.

ブレイ、チャド ビー. について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-585993
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515905
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
半導体基板上に第1の層を形成し、第1の組成と第2の組成とからなる混合物を用意し、混合物中の第1の組成の濃度を光学的に検出し、第1層に混合物を供給することからなる半導体部品の製造方法。その方法において使用される化学機械研磨(CMP)システム(100)は、第1の入力ポート(111)、CMPスラリー出力ポート(113)、及びCMPスラリー検知ポート(114)を有する容器(110)からなる。このCMPシステムはCMPスラリー検知ポートの近傍に回折計(150)も備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の層を形成する工程と、 第1の成分と第2の成分とからなる混合物を用意する工程と、 該混合物中の第1の成分の濃度を光学的に検出する工程と、 該第1の層に該混合物を供給する工程と、からなる半導体部品の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02
FI (3件)：
H01L21/304 622R ,  B24B37/00 K ,  B24B57/02
Fターム (10件)：
3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C047GG20 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB03 ,  3C058CB06 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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