特許
J-GLOBAL ID:200903039626537358
レジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三浦 進二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-025610
公開番号(公開出願番号):特開2005-215627
出願日: 2004年02月02日
公開日(公表日): 2005年08月11日
要約:
【課題】レジスト剥離廃液から高品質の再生レジスト剥離液を得ることを可能とし、少なくともその再生再利用のライフを延長できるレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置を提供する。【解決手段】レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び/又はイオン性不純物を除去するか、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤や脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減するか、これらの両方の処理を行う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び/又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理工程、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び/又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理工程の一方又は両方の工程を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理方法。
IPC (6件):
G03F7/42
, B01D61/02
, B01D61/36
, B01J39/04
, B01J41/04
, H01L21/027
FI (6件):
G03F7/42
, B01D61/02 500
, B01D61/36
, B01J39/04 H
, B01J41/04 H
, H01L21/30 572B
Fターム (28件):
2H096AA25
, 2H096AA26
, 2H096AA27
, 2H096AA28
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096LA03
, 2H096LA25
, 2H096LA30
, 4D006GA04
, 4D006GA25
, 4D006JA57Z
, 4D006KA12
, 4D006KA72
, 4D006KB11
, 4D006KE04P
, 4D006KE13P
, 4D006MB03
, 4D006MB05
, 4D006MB06
, 4D006PA01
, 4D006PA05
, 4D006PB13
, 4D006PB65
, 4D006PB70
, 4D006PC01
, 5F046MA02
, 5F046MA19
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特許第2602179号公報
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レジスト剥離廃液の再生装置及び再生方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-365033
出願人:長瀬産業株式会社, 日本アブコー株式会社, ナガセシィエムエステクノロジー株式会社
審査官引用 (7件)
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特開平3-204921
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-086728
出願人:日本電気株式会社
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半導体基材の洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-011808
出願人:徳山曹達株式会社
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