特許
J-GLOBAL ID：200903039674603893

高密度プラズマでFSGを堆積させる時に低バイアスRFパワーを使用する金属間誘電層製造方法

発明者：
張 炳一

張 炳一 について

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鄭 培仁

鄭 培仁 について

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黄 啓東

黄 啓東 について


出願人/特許権者：
旺宏電子股▲ふん▼有限公司

旺宏電子股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (1件)： 竹本 松司 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346376
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164340
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 操作人員の負担を増加せず並びに機台の使用及び配置を減少でき、生産速度を高め、堆積ステップを減少し、ギャップの発生と界面の発生を減少できる、高密度プラズマでFSGを堆積させる時に低バイアスRFパワーを使用する金属間誘電層製造方法の提供。【解決手段】 金属間のギャップに、比較的緩慢な堆積速度で、バイアスがあるRFパワーでFSGを堆積、充填させ、さらに無バイアス或いは比較的小さいバイアスのRFパワーで比較的速い堆積速度でFSGを堆積させて犠牲層となし、CMPで平坦化処理する。
請求項（抜粋）：
A.基板を提供し、基板上面に、リソグラフィー及びエッチング工程で一つの金属パターン層と複数の金属間ギャップを形成するステップB.第1の誘電層を金属パターン層の上に堆積させると共に、該金属パターン層の金属間のギャップに充填させ、続いて第2の誘電層を第1の誘電層の上に形成し、この第1の誘電層は堆積速度の緩慢な高バイアスを有するRFパワーで堆積させ、第2の誘電層は低バイアスのHDP-CVDで堆積させるステップ、C.第2の誘電層を平坦化するステップ、D.PECVDで被覆酸化層を形成するステップ、以上のA乃至Dのステップを包括する、高密度プラズマでFSGを堆積させる時に低バイアスRFパワーを使用する金属間誘電層製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 P
Fターム (32件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW07 ,  5F033WW10 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF07 ,  5F058BH11 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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