特許
J-GLOBAL ID：200903039810349939

半導体装置と半導体装置製造方法

発明者：
加地 徹

加地 徹 について

, 
石黒 修

石黒 修 について

, 
杉本 雅裕

杉本 雅裕 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

, 
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-280485
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095823
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】 III-V族化合物半導体を利用する半導体装置に関し、特に、半導体領域に含まれるp型不純物が、隣接する他の半導体領域に拡散する現象を効果的に抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】 Mgがドープされた窒化ガリウム・アルミニウム(Al0.05Ga0.95N)から構成されるp+型の半導体領域14と、Siがドープされた窒化ガリウム・アルミニウム(Al0.05Ga0.95N)から構成されるn-型の半導体領域12と、p+型の半導体領域14とn-型の半導体領域12の間に形成され、窒化アルミニウム(AlN)から構成される不純物拡散抑制領域13を備えている。不純物拡散抑制領域13を構成する半導体のAl原子の組成比は、p+型の半導体領域14のAl原子の組成比よりも大きい【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型不純物を含み第1のIII-V族化合物半導体から構成される第1半導体領域と、 第2のIII-V族化合物半導体から構成される第2半導体領域と、 前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間に形成されているとともに、アンドープの第3のIII-V族化合物半導体から構成される第3半導体領域とを備え、 前記第3のIII-V族化合物半導体のAlの組成比は、前記第1のIII-V族化合物半導体のAl組成比よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/861 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80
FI (5件)：
H01L29/91 F ,  H01L33/00 C ,  H01L29/91 H ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 V
Fターム (21件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CB36 ,  5F102FA03 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102GR13 ,  5F102GR17 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM