特許
J-GLOBAL ID：200903079129432323

III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ

発明者：
三木 久幸

三木 久幸 について

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桜井 哲朗

桜井 哲朗 について

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奥山 峰夫

奥山 峰夫 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301065
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101623
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】温度変化が比較的少ない工程で高品質のIII族窒化物半導体結晶を形成する事が可能なIII族窒化物半導体結晶の製造方法の提供。【解決手段】 加熱したサファイア(Al2O3)基板9上に、V/III比(反応炉に流通するIII族元素を含む分子のモル数と、V族元素を含む分子のモル数の比率)を500以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、少なくともAlを含むIII族窒化物半導体8を形成し、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上に、基板温度950°C〜1200°Cで、かつ第1の工程の基板温度以下で、III族窒化物半導体結晶7を気相成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
加熱したサファイア(Al2O3)基板上に、V/III比(反応炉に流通するIII族元素を含む分子のモル数と、V族元素を含む分子のモル数の比率)を500以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、少なくともAlを含むIII族窒化物半導体(以下、III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成する第1の工程と、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上に、基板温度950°C〜1200°Cで、かつ第1の工程の基板温度以下で、III族窒化物半導体結晶を気相成長させる第2の工程を有するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (16件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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