特許
J-GLOBAL ID:200903039832022321
精密パターンの形成方法及び半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-277711
公開番号(公開出願番号):特開2001-096881
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月10日
要約:
【要約】【課題】 にじみやだれがなく、解像性に優れる精密パターンの形成方法及び上記精密パターンを有し、信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】 周波数1rad/sで測定した複素粘度が5〜10000Pa・sであり、周波数100rad/sで測定した損失弾性率と貯蔵弾性率の比tanδが、周波数1rad/sで測定した損失弾性率と貯蔵弾性率の比tanδの1.2〜10倍である樹脂ペーストを印圧制御しつつ印刷することを特徴とする精密パターンの形成方法、周波数1rad/sで測定した複素粘度が5〜10000Pa・sであり、周波数100rad/sで測定した損失弾性率と貯蔵弾性率の比tanδが、周波数1rad/sで測定した損失弾性率と貯蔵弾性率の比tanδの1.2〜10倍である樹脂ペーストをメッシュレスのメタル版を介して印圧制御しつつ印刷する工程(A)及び前記印刷された樹脂ペーストを加熱乾燥する工程(B)を含み、工程(A)及び工程(B)を複数回繰り返すことを特徴とする精密パターンの形成方法並びに基板上に前記精密パターンの形成方法により精密パターンを形成してなる半導体装置。
請求項(抜粋):
周波数1rad/sで測定した複素粘度が5〜10000Pa・sであり、周波数100rad/sで測定した損失弾性率と貯蔵弾性率の比tanδが、周波数1rad/sで測定した損失弾性率と貯蔵弾性率の比tanδの1.2〜10倍である樹脂ペーストを印圧制御しつつ印刷することを特徴とする精密パターンの形成方法。
IPC (3件):
B41M 1/12
, B41F 15/40
, H05K 3/12 630
FI (3件):
B41M 1/12
, B41F 15/40 B
, H05K 3/12 630 Z
Fターム (22件):
2C035AA06
, 2C035FD01
, 2C035FD44
, 2H113AA01
, 2H113AA05
, 2H113BA10
, 2H113BB09
, 2H113BB22
, 2H113BC12
, 2H113CA17
, 2H113CA46
, 2H113DA09
, 2H113DA25
, 2H113DA38
, 2H113EA00
, 2H113EA02
, 2H113EA06
, 2H113EA12
, 2H113FA10
, 2H113FA36
, 5E343EE60
, 5E343FF02
引用特許:
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