特許
J-GLOBAL ID：200903039858907640

発光装置

発明者：
窪田 岳彦

窪田 岳彦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-319269
公開番号（公開出願番号）：特開2008-216975
出願日： 2007年12月11日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】発光装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制する。【解決手段】発光装置1においては、素子層30の上に、第2層間絶縁膜35と、補助電極150と、共通電極72が順に積層される。補助電極150の端E4は、共通電極72の端E2よりも基板10の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極72の端E2は、第2層間絶縁膜35の端E1よりも外側に位置するよう形成される。補助電極150は、共通電極72と重ならない部分で、共通電極72に電位を供給する第2電極用電源線と接する部分を有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記各発光素子は第1電極と第2電極と両者の間にある発光層とを有し、前記第2電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって、 前記第2電極と電気的に接続した補助電極と、 前記素子層の上層に配置されるとともに、前記第2電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し、前記第2電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層と、 を有し、 前記第2電極は、前記有効領域を覆い、前記周辺領域にはみだして一様に形成され、 前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り、前記周辺領域の一部に形成され、 前記周辺領域において、前記第2電極の端は、前記補助電極の端よりも前記基板の面内において内側に位置するとともに、前記絶縁層の端よりも外側に位置する、 発光装置。
IPC (5件)：
G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/06
FI (5件)：
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/06
Fターム (22件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB04 ,  3K107CC05 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD37 ,  3K107DD39 ,  3K107DD90 ,  3K107EE03 ,  5C094AA03 ,  5C094AA15 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094HA08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153327   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (10件)
  • 発光装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-084671   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187621   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 自己発光型表示装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248091   出願人：株式会社東芝
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