特許
J-GLOBAL ID：200903039862324624
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078895
公開番号（公開出願番号）：特開平11-271965
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 アセタール型の酸脱離基を有するポリマーを含む化学増幅型レジストに対して真空中においてパターン露光を行なってレジストパターンを形成するパターン形成方法において、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 アセタール型の酸脱離基を有するポリマー及びエネルギービームの照射により酸を発生する酸発生剤を含む化学増幅型レジストを半導体基板11の上に塗布してレジスト膜12を形成した後、真空中においてレジスト膜12に対して電子線13をパターン露光する。パターン露光したレジスト膜12を真空中から、湿度が50%程度の大気中に移して、大気中で適当な時間、例えば5秒間放置して、レジスト膜12を吸湿させた後、半導体基板11を100°Cの温度下において60秒間ホットプレートにより加熱する。レジスト膜12をアルカリ性現像液により現像してレジスト膜12の露光部12aを除去すると、良好なパターン形状のレジストパターン14が得られる。
請求項（抜粋）：
アセタール型の酸脱離基を有するポリマーと、エネルギービームの照射により酸を発生する酸発生剤とを含む化学増幅型レジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、真空中において、前記レジスト膜に対してエネルギービームをパターン露光する工程と、パターン露光された前記レジスト膜を大気中に放置することにより、パターン露光された前記レジスト膜に吸湿させる工程と、吸湿した前記レジスト膜を加熱した後、現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 568
