粗面度が小さい半導体合金、およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹沢荘一 , 中馬典嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365273
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236265
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】組成比が徐々に変化し、粗面度が小さく、歪みが緩和されたSi1-xGex、およびこの製造方法を提供する。【解決手段】粗面度が1nm未満で、歪みが緩和された、組成比が徐々に変化するSi1-xGex(0<x<1)合金、好ましくは、表面のスレディング転位密度が1×105cm-2未満であり、組成比が徐々に変化するSi1-xGex(0<x<0.3)合金を、蒸着その他の適当な方法によって、容易に形成する。この際、Si1-xGex/Siのような歪みの大きいヘテロ構造を形成するのに適した、低粗面度・低スレディング転位密度で、組成比が徐々に変化するシリコン-ゲルマニウム膜を形成するため、結晶の成長プロセスにおいて、所望により、ゲルマニウム前駆体の流量を変化させつつ、温度を適宜変化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

粗面度が1nm未満で、かつ歪みが緩和されていることを特徴とする、組成比が徐々に変化するSi1-xGex(0<x<1)合金。

IPC (6件)：

H01L21/20 , C01B33/06 , C22C28/00 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L29/161

FI (6件)：

H01L21/20 , C01B33/06 , C22C28/00 B , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L29/161

Fターム (62件)：

4G072AA20 , 4G072BB09 , 4G072BB10 , 4G072GG01 , 4G072GG02 , 4G072HH03 , 4G072HH04 , 4G072HH07 , 4G072HH09 , 4G072JJ09 , 4G072JJ25 , 4G072JJ28 , 4G072NN13 , 4G072NN24 , 4G072QQ09 , 4G072RR25 , 4G072UU01 , 4K030AA03 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA09 , 4K030BA48 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA08 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045BB12 , 5F045DA58 , 5F045DA69 , 5F152LL03 , 5F152LN03 , 5F152LN04 , 5F152LN07 , 5F152LN14 , 5F152LN15 , 5F152NN03 , 5F152NP04 , 5F152NQ01 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第5,221,413号明細書
米国特許第5,810,924号明細書

審査官引用 (5件)

半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-122818 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
半導体表面の研磨方法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-087850 出願人：澤野憲太郎, 白木靖寛, 中川清和
歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-165690 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社

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