特許

J-GLOBAL ID：200903040210327360

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 貴之 ,  飯沼 俊彦 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-113570
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309079
出願日： 2002年04月16日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 不純物のプロファイルを精度よく制御することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体領域1に不純物元素のイオンを注入する工程と、半導体領域に、所定元素としてIV族の元素又は不純物元素と同一導電型であって不純物元素よりも質量数が大きい元素のイオンを注入する工程と、不純物元素及び所定元素が注入された領域5、6に、発光強度分布の最大点を600nm以下の波長領域に有する光を照射して、アニールを行う工程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体領域に不純物元素のイオンを注入する工程と、前記半導体領域に、所定元素としてIV族の元素又は前記不純物元素と同一導電型であって前記不純物元素よりも質量数が大きい元素のイオンを注入する工程と、前記不純物元素及び前記所定元素が注入された領域に、発光強度分布の最大点を600nm以下の波長領域に有する光を照射して、アニールを行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265 604 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 604 M ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 F

Fターム (23件)：

5F140AA10 ,  5F140AA13 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH13 ,  5F140BH17 ,  5F140BH21 ,  5F140BH22 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-060428   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置のシャロージャンクション形成方法および形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315935   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭57-050427
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265695   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置におけるコンタクト部の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-166172   出願人：日本鋼管株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-024468   出願人：富士通株式会社
• 特開昭57-050427