窒化物系半導体の気相成長方法、及び、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-065651
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243006
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを5nm以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。【解決手段】無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を1〜10kPaとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を900°C以上1100°C未満とすること。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を1〜10kPaとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を900°C以上1100°C未満とすることを特徴とする窒化物系半導体の気相成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C30B 29/38

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C30B29/38 D

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077ED06 , 4G077FF02 , 4G077FF03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TC14 , 4G077TK01 , 5F041AA14 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F173AH22 , 5F173AP06 , 5F173AR81

引用特許：

出願人引用 (3件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-311272 出願人：日亜化学工業株式会社
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142221 出願人：ソニー株式会社
金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-586402 出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

引用文献：

審査官引用 (2件)

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